MOS器件热载流子注入寿命退化的测试方法和装置

摘要

本发明公开了一种MOS器件热载流子注入寿命退化的测试方法和装置，首先测量器件的初始界面态密度；常温下施加预设应力条件1，测量器件界面态密度；常温下施加预设应力条件2，测量器件界面态密度；然后确定器件退化的最大应力条件；测得器件阈值电压和饱和漏极电压；降温并施加最大应力条件，测量器件界面态密度；常温下施加最大应力条件，测量器件界面态密度；根据测得参数和基于HCI幸运电子模型得到的在一定应力条件下界面态密度随时间变化的规律、器件寿命与器件所受应力状态的关系获取器件的寿命。本发明在低温加速过程中无需恒温控制，降低测试成本，同时有效减小器件参数测试及最佳加速应力搜索过程中器件退化量对测试结果的影响。