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孙殿照; 胡国新; 王晓亮; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英;
中国科学院半导体所材料中心;
RF-MBE生长; 二维电子气; AlGaN/GaN; 分子束外延生长; 极化感应; 氮化镓;
机译:在GaN基板上具有重新生长的AlGaN / GaN二维电子气通道的新型垂直异质结场效应晶体管
机译:等离子体辅助分子束外延在块状GaN上生长的AlGaN / GaN异质结构中的高迁移率二维电子气
机译:氨-MBE在MOCVD GaN模板上生长的GaN / AlGaN二维电子气
机译:AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中极化诱导二维电子气形成的研究
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:角分辨X射线光电子能谱研究Al2O3封端的GaN / AlGaN / GaN异质结构的表面极化
机译:弱无定域和零场电子自旋分裂 alGaN / alN / GaN异质结构具有极化诱导的二维结构 电子气
机译:mOCVD在sI 4H-siC上生长的调制掺杂alxGa1-xN / GaN结构中二维电子气的光致发光研究
机译:用于在蓝宝石上生长GaN的InGaN / AlGaN / GaN多层缓冲液
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