纳米级PtSi/Si(111)膜成形工艺与连续性研究

摘要

研究了在（１１１）Ｓｉ衬底上沉积５ｎｍＰｔ膜经不同工艺成形后其反应产物及膜的连续性．结果表明高温短时间退火（６００℃。