使用射頻電漿輔助化學束磊晶成長氮化銦磊晶材料於表面氮化處理矽(111)基板之研究 =Investigation of Epi-InN Materials Grown on Surface Nitride Si (111) Substrate by RF-CBE

著录项

• 作者

  Chen, Sheng.;

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• 作者单位

  National Taiwan Normal University (Taiwan).;

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• 授予单位 National Taiwan Normal University (Taiwan).;
• 学科
• 学位 Masters
• 年度 2019
• 页码 105 p.
• 总页数 105
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

• 入库时间 2022-08-17 12:03:10