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纳米级PtSi/P-Si(100)薄膜形成工艺研究

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摘要

用XRD、XPS、TEM分析手段研究了在P-Si(100)上溅射的Pt膜,经不同工艺形成PtSi薄膜的物相及连续性.通过分析硅衬底预处理以及退火条件、气氛等对成膜质量的影响,找到形成超薄PtSi膜的工艺方法,制备出4nm连续薄膜.

著录项

来源
《功能材料》|2001年第4期|415-416|共2页
作者
刘爽; 宁永功; 陈艾; 刘俊刚; 杨家德; 李昆;
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作者单位

电子科技大学信息材料工程学院,;

电子科技大学信息材料工程学院,;

电子科技大学信息材料工程学院,;

重庆光电技术研究所,;

重庆光电技术研究所,;

材料工程研究院,;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O484.41;
关键词
红外探测器; PtSi薄膜; 纳米级; 退火;
入库时间 2023-07-24 20:46:03

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