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苏志国; 许金通; 陈俊; 李向阳; 刘骥; 赵德刚;
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室;
山东大学信息科学与工程学院;
中国科学院半导体研究所;
GaN; 持续光电导; 负光电导; 负持续光电导;
机译:抑制栅极可调氧氢/ Bi_2Se_3二极管具有光致负差分电阻的旋流晶体持续光电导性
机译:电场对无意掺杂的n型GaN中持久性光电导的影响
机译:分子束外延生长条件对Mg掺杂p型GaN电导率的影响
机译:基底氮化温度对PAMBE生长的无意掺杂GaN层持续光电导的影响
机译:通过分子束外延研究掺杂的氧化锌的n型和p型电导率。
机译:Mg Delta掺杂AlGaN / GaN超晶格结构增强了P型GaN电导率
机译:非故意掺杂GaN中光电导的光猝灭随电阻的变化
机译:GaN和Ca和O的p型和N型注入掺杂
机译:制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
机译:制造p型基于gan的复合半导体的方法,激活包含在基于gan的复合半导体中的p型掺杂剂的方法,基于gan的复合半导体装置以及基于gan的复合半导体光导体
机译:包层模式抑制型金属离子掺杂的光衰减光纤跳线型固定式光衰减器包层型抑制型金属离子掺杂的光衰减光纤的跳线型固定光衰减器制造
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