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曹望和; 张联苏;
不详;
稀土离子; 注入; GaAs; InP; 光致发光;
机译:氢注入损伤对硅上转移的InP / InGaAs / InP p-i-n光电二极管性能的影响
机译:离子注入对注入磷的InGaAsP / InGaAs / InP中量子阱混合的影响
机译:MBE-Grown Si:Er发光结构:注入和退火对发光性能的影响
机译:来自ER,Yb共注入的Al {Sub} 0.70AS / GaAs基材的ER,Yb {sup}(3+)和yb {sup}(3 +)相关的发射.0.70ga {sub} 0.30as / gaas底物制备的MOCVD方法
机译:金纳米柱阵列上掺入NaYF4的Yb 3 + / Tm3 +和Yb3 + / Er3 +系统的表面等离子体增强上转换发光。
机译:单晶和纳米晶金刚石中的b发光中心—离子注入注量和热退火的影响
机译:低剂量注入GaAs中Er的晶格位置和损伤退火
机译:Gaas和Inp中注入Fe和Ti的热退火研究
机译:离子注入GaAs和InP半导体的退火
机译:通过预注入然后过渡金属扩散来生产GaAs或InP半导体的工艺
机译:用于制造太阳能电池的发行者的区域的方法,该方法包括:掺杂剂的第一杂质离子注入和被注入以形成附加区域的杂质首先,以及形成第二注入区域的第二掺杂剂,去除未注入的区域并退火注入的区域;并制造了太阳能电池。
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