SiCl4-SiH4-H2混合源的硅外延生长

摘要

本文探讨了SiCl4/SiH4/H2混合源常压和低压硅外延生长技术.实验结果表明,混合源兼有SiCl4和SiH4两者的优点,并在一定比例下具有SiH2Cl2源的特性.它能降低外延生长温度、调节淀积速率,改善淀积的均匀性和抑制自掺杂效应.因此它可适应多种器件的要求.