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基于分子源SrTiO3薄膜同质外延生长的Monte Carlo模型Ⅰ:生长机制、模型与算法

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提出了一种在极低的生长速率下(例如分子外延技术),以SrTiO3为代表的ABO3型氧化物薄膜的生长机理,并针对这一生长机制,给出了基于MonteCarlo方法的三维模型和模拟算法.模拟基于SolidonSolid模型,并采用周期性的边界条件;模拟中通过库仑作用势引入了基底对沉积分子的影响;MonteCarlo事件由沉积事件、扩散事件、吸附成核事件组成;分子扩散能力与扩散激活能相关.

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来源
《第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议》|2005年|129-133|共5页
会议地点成都
作者
张青磊; 朱基亮; 谭浚哲; 于光龙; 吴家刚; 朱建国; 肖定全;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜物理学;
关键词
Monte Carlo模拟; 薄膜外延生长; 分子源; SrTiO3薄膜; 氧化物薄膜; 分子扩散;
入库时间 2022-08-17 10:47:27

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