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机译:利用混合源氢化物气相外延法,使用混合源氢化物液相对蓝宝石底物的生长
Pusan Natl Univ Dept Nano Fus Technol Busan 46241 South Korea;
Korea Maritime &
Ocean Univ Dept Elect Mat Engn Busan 49112 South Korea;
Korea Maritime &
Ocean Univ Dept Elect Mat Engn Busan 49112 South Korea;
Korea Maritime &
Ocean Univ Dept Elect Mat Engn Busan 49112 South Korea;
Korea Maritime &
Ocean Univ Dept Elect Mat Engn Busan 49112 South Korea;
Korea Maritime &
Ocean Univ Dept Elect Mat Engn Busan 49112 South Korea;
Power Semicond Commercializat Ctr Busan Techno Pk Busan 46239 South Korea;
Pusan Natl Univ Dept Nano Fus Technol Busan 46241 South Korea;
Andong Natl Univ Dept Phys Andong 36729 South Korea;
AlN; AlGaN; Mixed-source; HVPE; Epitaxy; Wide-bandgap semiconductor;
机译:利用混合源氢化物气相外延法,使用混合源氢化物液相对蓝宝石底物的生长
机译:通过混合源氢化物气相外延法在Si(111)衬底上生长的AlN和AlGaN层
机译:在1300℃以上的AlN的氢化物气相外延中,在1065℃下在蓝宝石衬底上生长薄保护AlN层。
机译:通过氢化物气相外延在图案化的蓝宝石衬底上生长半极性GaN衬底
机译:氢化物气相外延生长极性和非极性氮化物半导体准衬底,用于分子束外延开发光电子器件
机译:氢化物气相外延生长在AlN纳米图案蓝宝石模板上的AlGaN外延层的结构和应力特性
机译:氢化物气相外延(0001)AlN(0001)半极性ALN的成核和生长
机译:蓝宝石和氢化物气相外延衬底上Er掺杂GaN的生长和形貌