氢化物气相外延法生长III-V族化合物单晶的设备

摘要

本实用新型公开了一种氢化物气相外延法生长III‑V族化合物单晶的设备，包括：HVPE反应腔室，具有沿预设方向依次连通设置的第一区域、第二区域、第三区域，第一区域可供III族元素源与氮源反应生成III族氮化物单晶、氢气和卤素氢化物，第二区域可供III族元素源与氢气反应生成III族元素单质和卤素氢化物；第三区域可供氮源与卤素氢化物反应生成铵盐；加热装置，用于分别对所述第一、第二和第三区域进行加热；氮源和III族元素源供给机构，所述氮源和III族元素源供给机构与HVPE反应腔室连接。所述设备提高了III族氮化物单晶的产量和纯度，并能回收III族元素单质，降低了III族氮化物单晶的制备成本。