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一种平面型GaAs场效应晶体管

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本文提出了一种新的平面型砷化镓肖特基势垒场效应晶体管（GaAs MESFET）结构.阐述了用氧离子注入制作此种平面型器件的计算和实验结果.将制得的平面器件与通常的台武器件作了比较.看出平面型器件在微波特性和制作工艺上具有明显优点.

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来源
《半导体学报》 |1980年第2期|121-126|共6页
作者
邓先灿;
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作者单位

河北半导体研究所;

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