机译:平面型隧道场效应晶体管低频噪声的基于表面电位的分析模型
Samsung Elect Foundry Div Yongin 17113 South Korea;
Korea Univ Dept Elect & Informat Engn Sejong 30019 South Korea;
SK Hynix Res & Dev Div Icheon 17336 South Korea;
Korea Univ Dept Elect & Informat Engn Sejong 30019 South Korea;
Chungnam Natl Univ Dept Elect Engn Daejeon 34134 South Korea;
Chungnam Natl Univ Dept Elect Engn Daejeon 34134 South Korea;
Chungnam Natl Univ Dept Elect Engn Daejeon 34134 South Korea;
Chungnam Natl Univ Dept Elect Engn Daejeon 34134 South Korea;
Korea Univ Dept Elect & Informat Engn Sejong 30019 South Korea;
TFETs; Logic gates; Semiconductor device modeling; Analytical models; Integrated circuit modeling; Computational modeling; Tunneling; Band-to-band tunneling (BTBT); compact model; flicker noise; low-frequency noise (LFN); tunneling FET;
机译:轻掺杂纳米级双栅金属氧化物半导体场效应晶体管线性区域的解析低频噪声模型
机译:平面型ln_(0.53)Ga_(0.47)As沟道带间隧穿金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:带间隧穿和沟道传输的双材料栅隧穿场效应晶体管的紧凑解析模型
机译:隧道场效应晶体管中点和线路隧穿的分析模型
机译:隧道场效应晶体管技术的紧凑模型和i-MOS平台开发。
机译:基于场效应晶体管和低频麦克风的驻极体的微机器麦克风的建模与可行性研究
机译:考虑到闸门和排水电压对隧道的影响的隧穿场效应晶体管的分析电流模型
机译:用于随机光束冷却系统的低噪声砷化镓场效应晶体管前置放大器