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谭志良; 刘尚合; 林永涛; 刘存礼; 国海广; 杨洁;
军械工程学院静电与电磁防护研究所,河北,石家庄,050003;
静电放电; 集成电路; 注入电压; 拟合曲线;
机译:双极晶体管的EMP注入损伤效应及其注入电压与能量之间的关系
机译:功能性栅极金属氧化物半导体场效应晶体管,采用隧道注入/陷阱电荷注入,可实现超低功耗工作的自可调阈值电压
机译:共注入He和H离子的硅的表面损伤:H注入能量的影响(会议论文)
机译:ESD注入高频低噪声硅晶体管的事件相关潜在损伤研究
机译:通过等离子源离子注入,在微电子应用中基于能量离子的金属氮化物扩散势垒沉积和注入。
机译:纳米金刚石中的离子注入:尺寸效应和能量依赖性
机译:硅大型集成电路中离子注入损伤中心的电检测磁共振
机译:离子注入硅酸盐中延长损伤深度的碰撞能量沉积阈值。
机译:用于集成电路制造的分子氮注入剂量估算方法,涉及建立分子氮注入剂量与热处理后氧化层抑制率之间的关系
机译:用于高和超高能量半导体晶片注入的模板掩模在衬底中具有注入开口,通过该注入开口将注入能量投射到晶片上
机译:一种控制集成电路硅衬底掺杂的方法,包括通过图形在衬底内注入试剂,其中根据图形的渗透率选择图形的局部厚度和注入能量。
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