ESD与方波脉冲对集成电路注入损伤的比较研究

摘要

采用方波脉冲和ESD脉冲对3种集成电路进行了注入损伤效应实验,目的是比较二者对器件损伤的异同之处.分析时,首先对实验数据作拟合分析,建立起相关的数学模型,然后将模型值和实际值进行比较.可得到结论:实验器件有高压强场致PN结击穿和热效应2种损伤模式.对同一种器件,2种注入方式下的损伤模式相同或类似.方波注入下,各损伤阈值参数可拟合为1个式子来描述它们之间的关系,ESD注入下则还不确定;对同一器件,不同注入方式下的阈值不同,目前结果表明相差2～3倍.