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曹艳宾; 武占成; 孙永卫; 高永生; 李鹏举;
军械工程学院静电与电磁防护研究所;
方波注入; 集成电路; 损伤效应;
机译:通过温度依赖性霍尔效应测量研究硅注入的Al_(0.18)Ga_(0.82)N的注入损伤恢复和载流子活化
机译:氮化物半导体集成电路处理Si离子注入的阈值控制试验
机译:一种新型间歇性高频方波注入IPMSM无传感器驱动器,用于消除逆变器死区时间非线性效应
机译:纳米量热法研究硅中注入损伤的热演化。
机译:具有TCAD仿真的反馈场效应晶体管的单片3D集成电路逆变器研究
机译:硅大型集成电路中离子注入损伤中心的电检测磁共振
机译:硅注入砷化镓的辐射损伤与退火效应研究
机译:疲劳试验中电导体损伤动态研究装置
机译:研究三维土拱效应的柔性试验装置及操作方法
机译:利用离子注入和降低的掺杂活化和损伤恢复温度来制造III-N场效应晶体管的方法
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