一种用于碳化硅的低损伤离子注入方法及注入掩膜结构

摘要

本发明公开了半导体器件生产领域内的一种用于碳化硅的低损伤离子注入方法，包括如下步骤：在SiC外延片表面形成一层离子注入牺牲层SiO2；在牺牲层SiO2表面涂覆光刻胶；光刻、显影、曝光、高温碳化后形成离子注入阻挡层；借助上述图案化阻挡层，对上述SiC外延片进行离子注入；高温退火激活注入杂质，本发明采用固化后的光刻胶作为离子注入的阻挡层，简化了工艺，并且采用SiO2介质层作为注入牺牲层来减小离子注入对SiC材料表面的损伤，可用于半导体器件生产中。