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在离子注入中控制注入诱导的损伤

摘要

本发明提供一种离子注入系统,该离子注入系统具有配置成向工件提供聚点离子束的离子注入设备,该聚点离子束具有与其相关的射束密度,其中该工件具有与其相关的晶体结构。扫描系统沿一轴或多轴相对于彼此地反复扫描聚点离子束与工件中的一个或多个。还提供控制器,该控制器配置成在工件上的预定位置暴露于聚点离子束时确立工件的预定局部温度。由此在该预定位置获得工件晶体结构的预定局部失序,其中控制器配置成控制聚点离子束的射束密度以及与扫描系统相关的占空比中的一个或多个,从而在工件上的预定位置确立该工件的局部温度。

著录项

  • 公开/公告号CN104756224B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-01-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 艾克塞利斯科技公司;

    申请/专利号CN201380043992.X

  • 申请日2013-10-30

  • 分类号H01J37/304(20060101);H01J37/317(20060101);

  • 代理机构11019 北京中原华和知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人寿宁;张华辉

  • 地址 美国马萨诸塞州贝佛利市

  • 入库时间 2022-08-23 10:05:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-05

    授权

    授权

  • 2016-09-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/304 申请日:20131030

    实质审查的生效

  • 2015-07-01

    公开

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