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王凤兰; 林琨治;
东北师范大学物理系;
InGaAs; 异质结; 温度特性; 阈值电流; 半导体激光器;
机译:1.3μmInGaAsP / InP压缩应变MQW激光器具有极低的阈值(0.56 mA)操作
机译:1.3μmInGaAsP-InP应变多量子阱埋入异质结构激光器的高温性能研究
机译:阱数对1.3μmInGaAsP-InP量子阱激光器中温度特性的影响
机译:刻面涂层的1.3μmInGaAsP / InP MQW激光器的性能
机译:使用亚阈值光学频率响应技术确定1.3微米砷化铟镓/砷化镓QD激光器中的载流子寿命。
机译:电注入II型(GaIn)As / Ga(AsSb)/(GaIn)As W型量子阱激光器的高温工作发射出1.3 µm量子阱激光器
机译:1.3μmIngaASP/ INP埋地新月激光二极管
机译:具有化学蚀刻和质量传输镜的低阈值GaInasp / Inp埋层异质结构激光器
机译:具有膜结构的容器,其第一层随后的分子截止值为1000至50000,第二层的分子截止值为300-2000,且其厚度薄至足以允许通量至少为0.1 L / h.m2.bar
机译:高速激光器中的薄INP隔离层可减少横向电流扩散
机译:具有低电流密度阈值和较高T.O.值的量子阱异质结构激光器
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