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王凤兰; 林琨治; 吴献; 邢佳春; 刘玉春;
东北师范大学物理系;
InGaAs; 异质结; 温度特性; 阈值电流; 半导体激光器;
机译:低阈值,高功率,1.3- / splμ/ m波长,InGaAsP-InP蚀刻面折叠腔面发射激光器
机译:超低阈值1.3- / spl mu / m InGaAsP-InP压缩应变多量子阱单片激光器阵列,用于并行高密度光学互连
机译:使用高电阻Ru掺杂InP嵌入结构在100℃,10Gb / s下运行1.3μm波段InGaAsP DFB激光器
机译:GSMBE生长的低阈值InAsP / InGaP / InGaAsP / InP应变补偿和压缩应变的1.3 / spl mu / m激光器
机译:被动锁模InGaAsP / InP半导体激光器的高工作温度
机译:薄弹性结构特征值问题的有效降维算法:三维范式
机译:低阈值,基本横模振荡InGaAsP / InP(λ=1.3μm)半导体激光器的研制
机译:用于波分复用高速分布式计算的InGaasp / Inp基1.3 / 1.55微米垂直腔面发射激光器。阶段1。
机译:埋入异质结构的ingaasp / inp半导体二极管激光器的制造方法
机译:可以以包括不小于3.5微米的InGaAsP有源层以及InGaAsP和InP包层的简单结构获得大功率光输出的半导体发光器件
机译:Alingaas / InGaASP / InP边缘发射半导体激光器,包括多个单片激光二极管
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