UHV/CVD硅外延的实时硼掺杂研究

王亚东; 黄靖云; 叶志镇; 汪雷; 马德群; 赵炳辉

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UHV/CVD硅外延的实时硼掺杂研究

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本文利用超高真空化学气相沉积系统(UHV/CVD)在720℃Si(100)衬底上进行了实时B掺杂的硅外延.采用二次离子质谱仪(SIMS),傅立叶红外光谱(FTIR),扩展电阻仪(SRP)对外延层的性能进行研究.研究表明:720℃生长时已经实时掺入了B原子,1000℃退火5分钟后,外延层中B原子被激活,浓度达到1017～1O18cm-1,且过渡层分布陡峭.

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来源
《材料科学与工程学报》 |2001年第2期|33-35|共3页
作者
王亚东; 黄靖云; 叶志镇; 汪雷; 马德群; 赵炳辉;
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作者单位

浙江大学微系统研究与开发中心,;

浙江大学微系统研究与开发中心,;

浙江大学微系统研究与开发中心,;

浙江大学微系统研究与开发中心,;

浙江大学微系统研究与开发中心,;

浙江大学微系统研究与开发中心,;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TV304.055;
关键词
超高真空化学气相沉积; 实时B掺杂; 硅外延;

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