UHV/CVD方法N型掺杂Si外延数学模拟研究

摘要

硅外延掺杂剂的掺入，输入分压是影响掺杂浓度的最重要的因素。在UHV/CVD方法进行硅外延掺杂实验中，掺杂剂气体分解为若干种气体，这些气体的气体分压可以通过热力学进行计算。该文通过建立掺杂浓度与气体分压的数学模型，得到掺杂浓度与气体分压、生长温度的关系，掺杂剂掺入硅中的掺杂效率也同时得到，为定性了解掺杂剂的掺入情况提供了依据。