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拉曼光谱方法研究SiC晶体的晶型

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摘要

本文采用拉曼光谱方法对改进Lely生长法制备的SiC单晶的结构进行了分析,结果表明:晶体的结构为6H,样品的内部缺陷较多,其中存在4H-SiC.另外我们还测量了SiC晶体的高阶拉曼谱,并对其进行了分析归属.从分析结果来看拉曼光谱是研究SiC的晶体结构和生长质量有效快捷的方法.

著录项

来源
《光散射学报》 |2003年第3期|158-161|共4页
作者
冯敏; 王玉芳; 郝建民; 蓝国祥;
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作者单位

南开大学物理科学学院,天津,300071;

南开大学物理科学学院,天津,300071;

信息产业部四十六研究所,天津,300192;

南开大学物理科学学院,天津,300071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类拉曼光谱分析法;
关键词
拉曼光谱; SiC; 晶体结构;

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