SiC埋层的红外吸收特性研究

摘要

在较低衬底温度下，用离子合成技术对单晶Ｓｉ 衬底进行高能Ｃ＋ 离子注入，可获得含有ＳｉＣ 的埋层，经高温退火形成βＳｉＣ 颗粒沉淀．通过傅里叶红外吸收谱（ＦＴＩＲ） 对其研究分析，表明埋层中αＳｉ 和βＳｉ 共存，且有一含量最高区．