一种具有对称阶梯氧埋层的4H-SiC金属半导体场效应晶体管

摘要

本发明提供了一种具有对称阶梯氧埋层的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管；包括：4H‑SiC半绝缘衬底(1)、P型缓冲层(2)、第一对称阶梯氧埋层(3)和第二对称阶梯氧埋层(4)、N型沟道层(5)；本发明由于对称阶梯状的氧埋层的存在，有效地避免了N型沟道层中电子向衬底泄露，提高了最大输出电流密度；阶梯状的氧化层，会使电场峰从栅极靠近漏极处分散到右侧阶梯氧化层的端点上，从而减弱了电场的聚集，使击穿电压得到提高。两个对称阶梯状的氧埋层和的介电常数低于4H‑SiC，有效地提高了截止频率和最大输出功率。通过仿真实验，优化了两个阶梯氧化层的结构参数，得到了使功率附加效率达到最高的阶梯氧化层参数。