Logic gates; Doping; Electric fields; Wrapping; MOSFET; Resistance; Silicon carbide;
机译:低导通电阻的4H-SiC沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有超低比导通电阻的扩展沟槽栅极功率UMOSFET结构
机译:低压N沟道沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管的沟道端接设计与分析
机译:低导通电阻的4H-SiC沟槽栅极金属氧化物半导体场效应晶体管(UMOSFET)的新颖设计
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:具有增强的双栅极和部分P埋层的超低比导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
机译:栅极湿式再氧化对4H-siC(000 1)上制备的金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性和沟道迁移率的影响