声明
摘要
第1章绪论
1.1研究目的
1.2碳化硅材料结构与特性
1.2.1碳化硅晶体结构
1.2.2碳化硅物理特性
1.3 SiC UMOSFET的研究进展
1.4本文的主要研究内容
第2章4H-SiC UMOSFET结构及工作机理
2.1 4H-SiC UMOSFET基本结构与工作原理
2.2 4H-SiC UMOSFET电学特性参数
2.2.1阈值电压
2.2.2导通电阻
2.2.3击穿电压
2.2.4反向恢复特性
2.2.5栅电荷特性
2.3本章小结
第3章p/n交替缓冲层4H-SiC UMOSFET
3.1 p/n交替缓冲层4H-SiC UMOSFET结构原理与参数
3.2 p/n交替缓冲层4H-SiC UMOSFET电学特性仿真与分析
3.2.2 p/n交替缓冲层4H-SiC UMOSFET关态特性
3.2.3 p/n交替缓冲层4H-SiC UMOSFET栅电荷特性
3.3 p/n交替缓冲层4H-SiC UMOSFET优值及参数优化
3.3.2 p/n交替缓冲层4H-SiC UMOSFET关键参数优化
3.4 p/n交替缓冲层4H-SiC UMOSFET结构工艺步骤
3.5本章小结
第4章P型突出屏蔽区4H-SiC UMOSFET
4.2 P型突出屏蔽区4H-SiC UMOSFET电学特性仿真与分析
4.2.1 P型突出屏蔽区4H-SiC UMOSFET开态特性
4.2.2 P型突出屏蔽区4H-SiC UMOSFET关态特性
4.2.3 P型突出屏蔽区4H-SiC UMOSFET反向恢复特性
4.3 P型突出屏蔽区4H-SiC UMOSFET优值及参数优化
4.3.2 P型突出屏蔽区4H-SiC UMOSFET关键参数优化
4.4 P型突出屏蔽区4H-SiC UMOSFET结构工艺步骤
4.5本章小结
第5章p+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiC UMOSFET
5.2 p+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiC UMOSFET电学特性仿真与分析
5.2.1 p+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiC UMOSFET开态特性
5.2.2 p+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiC UMOSFET关态特性
5.2.3 p+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiC UMOSFET反向恢复特性
5.3 p+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiC UMOSFET优值及参数优化
5.3.2 p+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiC UMOSFET关键参数优化
5.4 p+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiC UMOSFET结构工艺步骤
5.5本章小结
结论
参考文献
攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果
致谢