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郭登耀; 汤晓燕; 李林青; 张玉明;
西安电子科技大学 微电子学院 陕西 西安 710071;
碳化硅; dV/dt; 结终端扩展; 不完全电离; 补偿掺杂;
机译:寄生电感对4H-SIC肖特基二极管的DV / DT坚固性的影响
机译:InGa(Al)As / GaAs DQW大功率二极管激光器的可靠性和退化机理
机译:4H-SiC绝缘栅双极晶体管用于DV / DT减小的物理建模与设计优化
机译:4H-SiC肖特基二极管在dV / dt值超过700 kV /μs时的运行
机译:混合高功率开关单元的瞬态和CDV / DT诱导开启的行为建模
机译:高功率光动力疗法(HLLT)功效的体外初步研究:脉冲二极管激光器和超脉冲二极管激光器之间的比较以及过氧化氢的受控稳定作用
机译:肖特基二极管制造中4H-Sic氧化机理的研究
机译:双注入N(+) - p和p(+) - n 4H-siC二极管的深能级瞬态光谱研究
机译:MOS-di / dt dv / dt控制功率开关晶体管的开关DI / DT和DV / DT的方法
机译:dV / dt-具有dV / dt可控性和跨沟槽布置的功率半导体器件
机译:dV / dt dI / dt PoDL具有主动dV / dt和dI / dt控制功能的PoDL系统
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