具有dV/dt可控性的功率半导体装置

摘要

本发明涉及具有dV/dt可控性的功率半导体装置。一种功率半导体装置包括：半导体主体，耦合到功率半导体装置的第一负载端子和第二负载端子并且包括漂移区域，漂移区域被配置为在所述端子之间传导负载电流，漂移区域包括第一导电型的掺杂物；源极区域，被布置为与第一负载端子电接触并且包括第一导电型的掺杂物；沟道区域，包括第二导电型的掺杂物并且隔离源极区域与漂移区域；至少一个功率单位基元，包括至少一个第一类型沟槽、至少一个第二类型沟槽和至少一个第三类型沟槽，所述沟槽被布置为横向彼此相邻，其中所述沟槽中的每个沟槽沿着延伸方向延伸到半导体主体中并且包括绝缘体，绝缘体将相应的沟槽电极与半导体主体绝缘。