双元素掺杂的α—Si：H光电特性研究

摘要

本文研究由氮(N)、硼(B)以及卤素(X)元素掺杂的 a-Si∶H 膜在静电场下的光电特性.实验结果表明,(B+N)、(B+X)双元素掺杂比单元素更明显地提高 a-Si∶H 膜的表面电位 V_(?),降低残余电位V_R,并在 X/Si=10^(-2),B_2H_6/SiH_4=0.3×10^(-4)时,得到了 V_(?)=60V/μm,σ_D=10^(-4)((?)cm)^(-1)的静电复印用a-Si∶H 材料.