不同浓度Bi元素掺杂3C-SiC的电子结构的第一性原理研究

摘要

利用第一性原理赝势方法计算了不同浓度Bi元素掺杂SiC(掺杂浓度分别为1/8、1/16、1/32)的电子能带结构、态密度、布居分析和差分电荷密度.计算结果表明,随着Bi元素的掺杂,SiC的能带结构发生了变化,带隙宽度逐渐减小,费米能级越过导带,表现出N型半导体的特征;相应位置的Si原子和Bi原子的正电荷逐渐转移到了C原子上,说明Bi元素的掺杂破坏了Si、C之间的共价键.