掺杂剂

摘要： 目前,ZnO半导体材料在紫外激光器、气体传感器、场发射晶体管、光电探测器、压电传感器等光电子器件上已得到广泛的应用。但ZnO独特的结构缺陷即自补偿现象,限制了它在许多光电器件中的使用。本文综述了近年来主族金属离子、过渡金属离子、稀土元素离子等掺杂剂对ZnO纳米组装体系形貌及性能的影响,并对掺杂剂制备特殊形貌ZnO的发展方向和应用前景进行了展望,以期为制备性能优越的ZnO纳米材料提供参考。

摘要： 海洋沉积物中的植物甾醇生物标志物常被用于指示海洋沉积有机物的来源、反演海洋生态和环境演变过程.本研究采用非水反相液相色谱-大气压光电离质谱联用技术(LC-APPI-MS),建立了一种同步测定海洋沉积物中多种常见植物甾醇类化合物的新方法.首先,阐明了植物甾类化合物的APPI一级质谱分析特征,在正离子模式下,植物甾醇类化合物易于形成稳定的[M+H-H2O]+、[M+H-H2]+和[M+H-2H2]+特征离子峰;在二级质谱分析过程中,主要经过i异裂形成丰富的碎片离子峰.其次,优化了LC-APPI-MS检测条件,采用反相C18柱分离,以纯甲醇为流动相,甲苯作为APPI掺杂剂辅助电离,可实现沉积物中植物甾醇类化合物的高灵敏检测.本方法抗基质干扰能力强,具有良好的线性关系(R2≥0.9990)、回收率(86.4％ ～94.9％)和重复性(RSDs≤8.3％).采用本方法对莱州湾表层沉积物中的植物甾醇类化合物进行检测,所有样品中均检出了菜籽甾醇、岩藻甾醇和β-谷甾醇等6种甾醇类化合物,总含量在4.21～12.91μg/g范围内,其中β-谷甾醇的含量最高.本方法操作简单、灵敏度高,是测定海洋沉积物中植物甾醇类生物标志物的有效方法.

摘要： 聚3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)因其具有柔性可拉伸、生物相容性高、导电及功函数可调控等优势在柔性可穿戴电子器件中显示出广阔的应用前景.近年来,随着资源危机的日益凸显,针对PEDOT:聚苯乙烯磺酸(PSS)体系,研究开发高效绿色可持续的生物质基掺杂剂,已引起相关研发人员的高度关注.本研究首次报道了采用生物质芳香弱酸——没食子酸(GA,pKa为4.41)掺杂制备高性能PEDOT导电膜的新途径.GA独特的邻多酚羟基结构创造了稳定的GA-PSSH双氢键,使得GA-PSSH的分子结合能显著高于GA的石油基强酸异构体(2,4,6-三羟基苯甲酸,pKa=1.68)与PSSH的分子结合能.GA掺杂不仅可实现PEDOT-PSS的高效相分离,而且优化了PEDOT分子链的构象、聚集结构的形貌及其排列方向.这赋予GA具有很高的掺杂效率,当GA掺杂量为1.2％时,PEDOT导电膜的电导率可提升三个数量级,达到1050 S/cm,导电性能达到已报道的生物质基掺杂剂的最高水平,且掺杂效率明显优于其它生物质基掺杂剂及其石油基强酸异构体.

摘要： 为提高纺织品的多功能性如导电和疏水性等,在棉织物表面合成了疏水导电高分子材料聚吡咯.通过加入低表面能的掺杂剂来调控聚吡咯的疏水性与导电性,并对聚吡咯整理棉织物的表观形貌、电导率、接触角及K/S值等进行表征.结果表明,以木质素磺酸钠(LGS)为模板,掺杂0.025 mol/L全氟辛基磺酸钾(KPFOS)制得的聚吡咯整理棉织物疏水性能最佳,且达到超疏水状态;以蒽醌-2-磺酸钠盐(AQS)为软模板、掺杂十二烷基苯磺酸(DBSA)的聚吡咯复合棉织物电导率最大.以AQS为软模板且以0.01 mol/L DBSA掺杂的聚吡咯整理棉织物综合性能较好:接触角为131.2°,电导率为61.4 S/cm.因此通过模板的微观形貌控制以及烷基链或全氟烷基链的掺杂,可得到同时具备良好导电和疏水性能的聚吡咯整理棉织物,但其掺杂剂的调控机制仍需进一步研究.

摘要： 本文针对腐蚀失效的中空玻璃进行宏观和微观分析,并对中空玻璃用干燥剂的组成成分、掺杂剂含量及其对中空玻璃的腐蚀影响进行研究,最终得出干燥剂中氯化钙的掺杂、潮湿环境是造成中空玻璃腐蚀失效的主要原因,并据此提出了合理的改进建议和解决方案。

摘要： 以碳球(CS)为核,采用"grafting from"法制备了碳球@聚丙烯酸(CS@PAA);再以其为掺杂剂制备了碳球@聚丙烯酸掺杂聚苯胺(CS@PAA/PANI),并通过FTIR、UV-Vis、SEM、XPS及电导率等对CS@PAA/PANI进行结构和性能表征.结果表明,引入掺杂剂CS@PAA后,可以得到球状和纤维状的聚苯胺,电导率从2.2 S·cm-1提升到7.6 S·cm-1.CS@PAA/PANI具有可控的形貌,在导电油墨、光伏器件、印刷电子、传感器等领域有潜在的应用.

摘要： 是指加入其他材料(例如牙科修复材料)以改变其机械性能的成分,例如氧化锆中加入少量氧化钇之后使其更加稳定。

摘要： 聚3,4-乙撑二氧噻吩(PEDO T)是一种导电聚合物材料,与聚苯乙烯磺酸盐(PSS)络合后溶解于水形成PEDO T/PSS水溶液.由于PEDO T/PSS薄膜的电导率较低,限制了其在柔性器件上的应用.考察了含有不同羟基数目和端基含有甲基的醇类助剂、醇助剂的质量分数、炭黑质量分数以及热退火条件对PEDO T/PSS薄膜导电性和耐溶剂性的影响.结果表明:醇的亲水性的增加有利于提高PEDO T/PSS薄膜的导电性,且当乙二醇的体积分数为2％ 时PEDOT/PSS薄膜的方块电阻能达到35Ω/sq.PEDOT/PSS薄膜在DMSO溶剂中的浸泡实验表明,PEDOT/PSS薄膜在DMSO溶剂中表现稳定,同时DMSO有利于进一步提高PEDOT/PSS薄膜的导电性.此外,碳黑的掺杂也能有效地提高PEDO T/PSS薄膜导电性能.

摘要： 本文制备负载在用B、Na、K改性工业氧化铝的CoMo催化剂,采用表征方法对催化剂进行了描述,Co2p3/2峰值表明了Co氧化物的存在.CMA的Co2p XPS光谱值表明存在Co3O4、CoMoO4和CoAl2O4的混合物,当该类化合物在催化剂表面形成时,会导致孔堵塞,进而导致BET比表面积的减少.当硼化物浓度增加时,Co3O4的浓度降低,生成Co2+化合物.这为石脑油加氢催化剂的改进提供实验依据.

摘要： 石脑油催化裂化掺杂对石脑油催化裂化加氢效果影响较大.制备了负载在用B、Na、K改性工业氧化铝的CoMo催化剂,采用XPS、Raman光谱和XRD等方法对催化剂进行了表征.Mo3d5/2的宽度表明Mo和Co氧化物的存在.硼对Mo3d5/2的结合能没有影响,但是与CMA催化剂相比,Mo3d5/2的FWHM略微变宽,表明存在其他Mo部分.随着碱金属含量的增加,Mo3d5/2的结合能向较低值轻微移动,FWHM变窄.钠对Mo峰变窄的影响大于钾,峰的变窄主要因为聚合Mo类Mo7O246-转化为单体类MoO42-.该研究结果可为石脑油加氢催化剂的改进提供实验依据.

摘要： 本文采用乳液聚合的方法合成了不同掺杂剂掺杂的聚吡咯，测试了其电导率。并以掺杂聚吡咯为吸波剂制备环氧-掺杂聚吡咯复合材料，测试其在X-波段的电磁参数，根据单层平行板理论计算复合材料的吸波性能。结果证明:以SDBS为掺杂剂时其吸波性能最佳。计算掺杂SDBS聚吡咯为吸波剂的环氧复合材料在不同厚度下吸波性能，得到当厚度为2.3mm时其吸波性能最佳，反射损耗小于-10dB的频宽范围为9.5GHz-11.6GHz,最大反射损耗达到-14.8dB。

摘要： 本文研究了K4[Fe(CN)6]掺杂剂对溴碘化银颗粒乳剂感光性能的影响,结果表明掺杂剂的掺杂位置以及掺杂量对乳剂的感光性能都有影响.掺杂位置接近表面或接近内核时效果相对较好,掺杂位置接近富碘区时,乳剂的感光度上升的不明显,较佳的掺杂量为1×10-6mol/molAgN03.

摘要： 本文研究了电化学合成聚苯胺过程中不同的掺杂剂对PAn成核和生长过程的影响.PAn在HClO水溶液中反应初期受电化学极化过程的控制,采用二维成核机制(2-D),形成致密的薄层.由于PAn自催化特性,在薄层形成后反应控制步骤转变为扩散控制,PAn在薄层表面凸峰优先生长,使扩散电流产生差异,最终导致了微纤维的生成.由于电极表面附近的液体流动和气体生成时产生的扰动,使微纤维彼此缠绕生长,形成了密集的3-D网络状生长.

摘要： 系统研究了四氧化三铁(Fe3O4)作为p型掺杂剂，在有机电致发光器件(OLED)中的作用。将Fe3O4掺入空穴注入材料m-MTDTA，在优化的掺杂浓度下，器件的性能得到显著提高。器件的开启电压下降到2.4伏，在8伏下的亮度达到29360cd/m2，而非掺杂的对比器件，其开启电压和8伏下的亮度分别为3伏和6005 cd/m2。由于驱动电压降低，器件的功率效率也得到了明显提高。

摘要： 基于Liquid-Solid-Solution(LSS)机制合成了SnO2量子点,通过XRD和TEM表征,其颗粒度为4nm左右.将RuO2(0.3wt%)、Sb2O3(2wt%)、CeO2(2wt%),SiO2(2wt%)和PdCl2(2wt%)作为掺杂剂同时掺入SnO2纳米材料中,经过充分混和、烧结后,得到了具有良好气敏特性的SnO2基元件.在100mA的工作电流下,SnO2基元件对CO和乙醇表现出较好的气敏特性。

摘要： 二乙基锌是MOCVD工艺中砷化镓等材料的重要掺杂剂，还可用作聚合反应催化剂。用二乙基锌还可除去不饱和戊烃中有害杂质环戊二烯(CPD)。以保证不饱和戊烃单体能聚合成有用的高分子材料。国外曾有资料报道，发现二乙基锌对纸张有保护作用，能延长书刊的寿命。本文介绍了二乙基锌的理化性质、制备方法、毒性及安全防护。

摘要： 本文采用红外光谱、X射线衍射、透射电子显微术等手段结合电导率测量,研究以过硫酸铵((NH4)2S2O8)为氧化剂、十二烷基苯磺酸(DBSA)和冰醋酸(CH3COOH)为掺杂剂,通过乳液聚合法合成的聚苯胺的结构与性能.实验中发现:聚苯胺的电导率随合成时混合掺杂剂的摩尔浓度比率改变而发生明显变化,并在CH3COOH与DBSA时达到最大.同时伴随有红外光谱掺杂态特征峰峰位的相对变化,而晶化程度也随合成条件不同而呈现差异,性能最佳的聚苯胺微观形貌呈纤维状.结果表明:混合掺杂剂比率变化影响到聚苯胺掺杂态特征峰、聚苯胺链的排列有序度,而这些也是影响聚苯胺电导率的重要因素。

摘要： 在导电高分子领域，聚苯胺（PANI ）因其具有制备方法简单、导电性能优良、环境稳定性好等优点而成为研究的热点。但是由于导电聚苯胺不溶不熔，限制了它的广泛应用，因而近年来对可溶性/可熔融加工的聚苯胺进行了大量的研究工作。本文采用有机磺酸如十二烷基苯磺酸(DBSA)、樟脑磺酸（CSA ）等作为掺杂剂不但可以制备高电导率的PANI ，而且可以使导电态聚苯胺溶解于常用的有机溶剂中，从而可以制备PANI/通用高聚物导电复合材料，如通过溶液共混法制备PANI/PS ，PANI/PMMA ，PANI/PE 及PANI/SBS 等导电复合材料。除此之外，PANI 亦可与刚性链聚合物形成导电复合物，如PANI/PPTA 共混体系。

摘要： Zn源是用于化合物半导体材料的掺杂剂中的一种,本文研究掺杂用DMZn和DEZn的混合气配制方法.为防止液化必须限定混合气的总压.

摘要： 本文则采用微机控制双注法制备甲酸根,Ag2协同掺杂于晶体次表面的掺杂乳剂,研究甲酸根,Ag2共掺杂溴化银乳剂的增感作用.

摘要： 本发明的第1方面提供表面凹凸少、连续性高的硅层形成于基材上的半导体层合体的制造方法。本发明的第1方面的制造具有基材10和基材上的烧结硅粒子层5的半导体层合体的方法包含以下工序：(a)将含有分散介质和分散于分散介质中的硅粒子的硅粒子分散体涂布在基材10上，形成硅粒子分散体层1的工序；(b)将硅粒子分散体层1干燥，形成未烧结硅粒子层2的工序；(c)在未烧结硅粒子层上层合光透射性层3的工序；以及(d)穿过光透射性层3对未烧结硅粒子层2照射光，使构成未烧结硅粒子层2的硅粒子烧结，由此形成烧结硅粒子层5的工序。

摘要： 本发明的第1方面提供表面凹凸少、连续性高的硅层形成于基材上的半导体层合体的制造方法。本发明的第1方面的制造具有基材10和基材上的烧结硅粒子层5的半导体层合体的方法包含以下工序：(a)将含有分散介质和分散于分散介质中的硅粒子的硅粒子分散体涂布在基材10上，形成硅粒子分散体层1的工序；(b)将硅粒子分散体层1干燥，形成未烧结硅粒子层2的工序；(c)在未烧结硅粒子层上层合光透射性层3的工序；以及(d)穿过光透射性层3对未烧结硅粒子层2照射光，使构成未烧结硅粒子层2的硅粒子烧结，由此形成烧结硅粒子层5的工序。

摘要： 本发明的第1方面提供表面凹凸少、连续性高的硅层形成于基材上的半导体层合体的制造方法。本发明的第1方面的制造具有基材10和基材上的烧结硅粒子层5的半导体层合体的方法包含以下工序：(a)将含有分散介质和分散于分散介质中的硅粒子的硅粒子分散体涂布在基材10上，形成硅粒子分散体层1的工序；(b)将硅粒子分散体层1干燥，形成未烧结硅粒子层2的工序；(c)在未烧结硅粒子层上层合光透射性层3的工序；以及(d)穿过光透射性层3对未烧结硅粒子层2照射光，使构成未烧结硅粒子层2的硅粒子烧结，由此形成烧结硅粒子层5的工序。

摘要： 本发明提供能够简便且有效地改变纳米材料的塞贝克系数的值的纳米材料－掺杂剂组合物复合体的制造方法。本发明的制造方法包含使掺杂剂组合物在溶剂中接触纳米材料的接触工序、和除去上述溶剂的干燥工序，上述掺杂剂组合物含有特定的阴离子和

摘要： 本发明提供一种可以简便且有效地使纳米材料的塞贝克系数的值变化的纳米材料‑掺杂剂组合物复合体的制造方法。本发明的制造方法包含使掺杂剂组合物在溶剂中与纳米材料接触的接触工序，所述掺杂剂组合物含有阴离子、阳离子和捕捉剂。

摘要： 提供含磷掺杂剂、在半导体材料中形成磷掺杂区域的方法以及制备含磷掺杂剂的方法。在一个实施方案中，含磷掺杂剂包含磷源，该磷源包含含磷盐、含磷酸、含磷阴离子或其组合；碱性材料、源自碱性材料的阳离子或其组合；和液体介质。

摘要： 本发明提供一种可以简便且有效地使纳米材料的塞贝克系数的值变化的纳米材料‑掺杂剂组合物复合体的制造方法。本发明的制造方法包含使掺杂剂组合物在溶剂中与纳米材料接触的接触工序，所述掺杂剂组合物含有阴离子、阳离子和捕捉剂。

摘要： 本发明提供能够简便且有效地改变纳米材料的塞贝克系数的值的纳米材料－掺杂剂组合物复合体的制造方法。本发明的制造方法包含使掺杂剂组合物在溶剂中接触纳米材料的接触工序、和除去上述溶剂的干燥工序，上述掺杂剂组合物含有特定的阴离子和

摘要： 提供用于在半导体基底中形成掺杂区域的掺杂剂油墨组合物，以及用于制造掺杂剂油墨组合物的方法。在示例性实施方案中，掺杂剂油墨组合物包含掺杂剂化合物，该掺杂剂化合物包括至少一个连接至13族或15族元素的烷基。此外，该掺杂剂油墨组合物包括含硅化合物。

摘要： 提供含磷掺杂剂、在半导体材料中形成磷掺杂区域的方法以及制备含磷掺杂剂的方法。在一个实施方案中，含磷掺杂剂包含磷源，该磷源包含含磷盐、含磷酸、含磷阴离子或其组合；碱性材料、源自碱性材料的阳离子或其组合；和液体介质。