调制掺杂Al0.27Ga0.73As／GaAs多量子阱结构的光致发光

摘要

在调制掺杂（Ｓｉ）Ａｌ０．２７Ｇａ０．７３Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱的光致发光谱中，观察到一个强发光峰及多个低能弱发光峰，强发光峰是量子阱中基态电子与重空穴复合，即激子复合形成的，其低温发光线形可用Ｖｏｉｇｔ函数拟合，低能弱峰是势垒层Ａｌ０．２７Ｇａ０．７３Ａｓ中ＤＸ中心能级上的电子跃迁到ＳｉＡｓ原子而引起，由此确定ＤＸ中心有四个能级，其激活能分别为０．３５、０．３７、０．３９、０．４１ｅＶ。