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机译:生长中断对GaAsSb / GaAs多量子阱界面的影响的光致发光和调制光谱研究
Department of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei 106, Taiwan;
optical constants (including refractive index, complex dielectric constant, absorption, reflection and transmission coefficients, emissivity); Ⅲ-Ⅴ semiconductors; quantum wells;
机译:调制光谱研究生长中断对GaAsSb / GaAs多量子阱界面的影响
机译:磁光致发光研究衬底取向和生长中断对InAs / GaAs量子点电子性能的影响
机译:应变层GaAs / GaAsP多量子阱结构的调制光谱研究
机译:Ⅱ型GaAs / Gaassb多量子孔中的巨偏偏振光和光电导性,界面化学键诱导
机译:通过自助分子束外延生长核心壳GaAs / Gaassb纳米线的微光致发光(MU-PL)研究
机译:MBE在GaAs上生长的应变GaAsSb / GaAs QW结构的光致发光和能带排列
机译:磁光致发光研究衬底取向和生长中断对InAs / GaAs量子点电子性能的影响
机译:生长中断对整数和分数单层alGaas / Gaas量子阱影响的光致发光研究