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熊迪; 郭文涛; 郭小峰; 刘海峰; 廖文渊; 刘维华; 张杨杰; 曹营春; 谭满清;
中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室 北京100083;
中国科学院大学材料科学与光电工程中心 北京100083;
铟磷基激光器; 发散角; 光场分布;
机译:具有高功率和低发散角的160-GHz 1.55-碰撞脉冲锁模AlGaInAs / InP激光器
机译:10-GHz AlGaInAs / InP 1.55- $ mu $ tex> formula> m低发散角和定时抖动的无源锁模激光器
机译:具有低发散角和定时抖动的80-GHz AlGaInAs / InP1.55μm碰撞脉冲锁模激光器
机译:具有低发散角和定时抖动的40 GHz AlGaInAs / InP 1.55μm被动锁模激光器
机译:基于1.55μm的INP的DFB激光集成Mach-Zehnder调制器的光学反馈效果高达100 GBD数据传输=1.55μm基于INP的DFB激光器集成Mach-Zehnder调制器中的光学反馈效果最多100 GBD D.
机译:电注入II型(GaIn)As / Ga(AsSb)/(GaIn)As W型量子阱激光器的高温工作发射出1.3 µm量子阱激光器
机译:在INP / INAS量子划分的双模注射下高效非退化的四波混合在1.55μm的INP / INASum-Dash和量子点激光器下
机译:用于波分复用高速分布式计算的InGaasp / Inp基1.3 / 1.55微米垂直腔面发射激光器。阶段1。
机译:具有InAsP量子阱层和Gax(AIIN)1-xP势垒层的InP基高温激光器
机译:具有InAsP量子阱层和Gax(ALIn)1-xP势垒层的InP基高温激光器
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