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160-GHz 1.55- Colliding-Pulse Mode-Locked AlGaInAs/InP Laser With High Power and Low Divergence Angle

机译:具有高功率和低发散角的160-GHz 1.55-碰撞脉冲锁模AlGaInAs / InP激光器

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摘要

A monolithic ${sim}{rm 1.55}hbox{-}mu{rm m}$ colliding-pulse mode-locked AlGaInAs/InP laser with a three-quantum-well active layer incorporating a passive far-field reduction layer has been demonstrated. The device emits pulses at 162 GHz, with a pulsewidth of 0.98 ps, a pulse energy of 0.13 pJ, and a time-bandwidth product of 0.52, while demonstrating a low divergence angle $(12.7^{circ}times 26.3^{circ})$ with a twofold improvement in butt coupling efficiency to a flat cleaved single-mode fiber, compared to the conventional mode-locked lasers.
机译:已经证明了具有三量子阱有源层和无源远场减小层的单片$ {sim} {rm 1.55} hbox {-} mu {rm m} $碰撞脉冲锁模AlGaInAs / InP激光器。该器件以162 GHz的频率发射脉冲,脉冲宽度为0.98 ps,脉冲能量为0.13 pJ,时间带宽积为0.52,同时显示出低发散角$(12.7 ^ {circ}乘以26.3 ^ {circ}与传统的锁模激光器相比,与扁平开裂单模光纤的对接耦合效率提高了两倍。

著录项

  • 来源
    《Photonics Technology Letters, IEEE》 |2012年第12期|p.1057-1059|共3页
  • 作者

    Hou L.;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

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