GeSi/Si应变超晶格退火及离子注入研究

肖剑飞; 封松林; 彭长四

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GeSi/Si应变超晶格退火及离子注入研究

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用深能级瞬态谱(DLTS)研究退火及离子注入对分子束外延生长的GeSi/Si应变超晶格性质的影响,观察到3个与位错有关的深中心和1个表层内的深中心,退火和离子注入都使得这些深中心的浓度增加数倍,说明GeSi/Si应变超晶格不适应做过多的热处理.同时测定Pd+注入在GeSi/Si超晶格的杂质能级为EC=0.28eV,与体Si中的Pd杂质能级一致.

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来源
《红外与毫米波学报》 |1997年第5期|321-324|共4页
作者
肖剑飞; 封松林; 彭长四;
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作者单位

中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院物理研究所,北京,100080;

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正文语种 chi
中图分类一般性问题;
关键词
GeSi/Si; 应变超晶格; 退火; 离子注入;

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