Резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GeSi/Si с квантовыми точками GeSi

摘要

Изучено резонансное комбинационное рассеяние света в структурах GeSi/Si с квантовыми точками GeSi сформированными при различной температуре в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что в спектрах комбинационного рассеяния, записанных вблизи резонансов с электронными переходами E_0 и E_1 в квантовых точках, наблюдаются линии оптических фононов Ge, частоты которых существенно отличаются от соответствующего значения в объемном Се. При низкой температуре роста структур (3004÷400 ℃) частота фононов уменьшается с ростом энергии возбуждения, что обусловлено комбинационным рассеянием, селективным по размеру квантовых точек, и свидетельствует о неоднородности размера квантовых точек. При повышенной температуре роста (500 ℃) обнаружено противоположное поведение зависимости частоты фононов Се от энергии возбуждения, что объясняется конкурирующим влиянием встроенных механических напряжений в квантовых точках, эффекта локализации оптических фононов и перемешивания атомов Се и Si в структурах с двумодовым распределением квантовых точек по размеру.