带有周期性微结构的InGaAlP量子阱发光二极管

摘要

在分析和研究圆盘型光学模式的基础上,本文提出并研制成功一种带有周期性环形沟槽结构的新型InGaAlP量子阱发光二极管.这种LED的制备工艺简单易行,效果明显.结果证实,与同样面积方形台面普通LED相比,这种LED的出光强度和效率都得到明显的增强和提高,为改进发光二极管的性能提供了一条新途径.