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隋文辉; 章蓓; 王大军; 栾峰; 徐万劲; 马晓宇;
北京大学物理学院;
人工微结构和介观物理国家重点实验室;
北京100871;
中国科学院半导体所;
北京100083;
发光二极管; 出光效率; InGaAIP量子阱; 微结构;
机译:连续波可见光InGaP / InGaAlP量子阱表面发射激光二极管
机译:基于III族氮化物的可见光发光二极管的p型层控制InGaN / GaN多量子阱有源区中的量子限制斯塔克效应
机译:利用量子点模型模拟InGaN / GaN多量子阱发光二极管的电和光效应
机译:聚二甲基硅氧烷凹形微结构提高InGaN量子阱发光二极管的光提取效率
机译:C3T3多量子阱半导体光放大器中的光增益研究(压缩中的三个阱和电压中的三个阱)。
机译:通过使用混合量子阱/量子点结构的具有290nm发射带宽的基于GaAs的超发光发光二极管
机译:光萃取效率增强IngaN量子阱发光二极管,具有聚二甲基硅氧烷凹微结构
机译:基于II型量子阱的量子级联发光二极管
机译:具有用于黄光发射的量子阱结构的分层组件,包括反射层,该反射层可以将从出射结构反射的一部分光返回到出光结构,然后再返回到有源层
机译:使用不同的多量子阱增加半导体光放大器/超发光二极管带宽的技术
机译:在倒装芯片发光二极管中选择性放置量子阱以改善光提取
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