多量子阱结构及包含该多量子阱结构的氮化物发光二极管

摘要

本实用新型提供的多量子阱结构，包括，垒层和阱层，所述垒层与所述阱层交替堆叠形成周期性多量子阱结构，其特征在于：所述量子垒层厚度小于所述量子阱层厚度；本实用新型还提供了包含该多量子阱结构的氮化物发光二极管。本实用新型通过控制垒层厚度小于阱层厚度来改善多量子阱结构的极化效应，提高电子-空穴复合辐射机率，增加氮化物发光二极管的内量子效率，同时，减小器件使用过程中的蓝移现象，抑制Droop效应，提高器件的稳定性。