机译:具有InGaN / GaN多量子阱结构的基于氮化物的发光二极管和光电探测器双功能器件
Institute of Microelectronics and Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, 701 Taiwan, ROC;
InGaN; LED; MQW; photodetector; photodiode; GaN; MOCVD; OEIC;
机译:具有InGaN / GaN多量子点结构的基于氮化物的光发射器和光电二极管双功能器件
机译:通过通过GaN覆盖层控制消除InGaN / GaN多量子阱结构中的V缺陷,提高了蓝色发光二极管的效率
机译:双波长InGaN / GaN多量子阱发光二极管的发光特性和载流子动力学研究
机译:使用AlGaN / GaN超晶格结构减少InGaN / GaN多量子阱发光二极管的效率下降
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:InGaN / GaN多量子阱发光二极管中的光电性能变化:电位波动的影响
机译:在发光二极管器件中InGaN / GaN多量子阱中In和宽度波动的组成波动