基于量子阱材料的光耦合微结构研究进展

摘要

在长波红外探测领域中,GaAs/AlGaAs量子阱材料由于其均匀性和低成本,极具应用前景,然而,子带间跃迁选择定则的的限制导致量子阱不能吸收垂直入射光,通过引入微结构是增强光吸收的主要方法.本文在简述了量子阱原理及在长波红外波段的应用前景后,综述了近年来提高光耦合效率的一些新颖微结构,指出它们各自的优势以及存在的不足,分析了今后量子阱材料微结构的发展方向.