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InGaP/InGaAlP量子阱激光器输出特性的研究

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半导体红光激光器以其体积小、价格便宜等越来越成为人们关注的焦点.通过测定InGaP/InGaAlP量子阱激光器的I-V关系和不同电压下的发射光谱,对输出光谱的半高宽和发光峰位随外加电压的变化进行了分析.

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来源
《甘肃科技》 |2010年第8期|40-41|共2页
作者
艾德臻; 郭有瑞;
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作者单位

苏州建设交通高等职业技术学校,江苏,苏州,215100;

苏州建设交通高等职业技术学校,江苏,苏州,215100;

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正文语种 chi
中图分类半导体理论;
关键词
量子阱; 激光器; I-V特性;

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