混合集成电路中金铝键合可靠性的实验设计

摘要

针对混合集成电路中粗铝丝与厚膜金导体所形成的Al/Au键合系统的可靠性,提出了样品在加速应力(150℃)条件下的实验方案,得出在125℃、150℃、175℃三种加速温度应力条件下样品电阻的变化率随高温储存时间线性增加,但当Al/Au系统的互连接触电阻变化率达到20%后,电阻的变化率即退化速率显著增加;在恒定温度应力下,Al/Au键合系统的退化主要表现为接触电阻增加,键合强度下降.