金属微孔阵列增强AlGaN基量子阱红外探测器光耦合研究

摘要

研究了表面等离子体的激发和传输物理机制,将金属二维孔阵列激发的表面等离子体近场光增强效应引入AlGaN基量子阱红外探测器设计中,利用时域有限差分( FDTD )方法对器件在垂直入射光照射下内部电场分布进行了仿真计算,分析了金属微孔结构参数对探测器吸收波长和强度的影响. 结果表明:当金属微孔阵列层厚为100 nm、阵列周期为1 . 5 μm、方孔边长为700 nm时,对探测器性能的提高最为显著.