法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-14
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/0304 授权公告日:20180330 终止日期:20190830 申请日:20170830
专利权的终止
2018-03-30
授权
授权
机译: GaN / AlGaN /或AlGaN / AlGaN量子阱结构的形成方法
机译: p型AlGaN半导体层,基于AlGaN的半导体发光元件,基于AlGaN的半导体光接收元件以及形成p型AlGaN半导体层的方法
机译: 具有暴露层的超晶格量子阱红外探测器