Improvement of TE-polarized emission in type-Ⅱ InAlN-AlGaN/AlGaN quantum well

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【24h】

机译：Ⅱ型InAlN-AlGaN / AlGaN量子阱中TE极化发射的改进

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来源
《中国物理：英文版》 |2019年第9期|379-384|共6页
作者
Yi Li; Youhua Zhu; Meiyu Wang; Honghai Deng; Haihong Yin;
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作者单位

School of Information Science and Technology & Tongke School of Microelectronics Nantong University Nantong 226019 China;

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