MPCVD 法工艺特性对 SnO_2 薄膜导电性的影响

摘要

研究了磁等离子体化学气相沉积的不同工艺条件对ＳｎＯ２薄膜导电性的影响．实验结果表明，外加适当位形、大小的纵向磁镜场，可使等离子体化学气相沉积技术中制备ＳｎＯ２薄膜所需的氧气流量降低，沉积时间缩短，且制得的薄膜电阻大大降低，轴向分布均匀性明显增强．对以上结果进行了分析和讨论．