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邓周虎; 闫军锋; 张富春; 王雪文; 徐建平; 张志勇;
西北大学信息科学与技术学院;
驻771所军代表室;
SnO2; 第一性原理; 电子结构; 掺杂;
机译:透明导电SnO_2薄膜的结构,形态和光学性能:Sb掺杂的影响
机译:射频磁控溅射沉积Sb掺杂SnO_2透明导电薄膜的性能
机译:脉冲激光沉积制备Sb_2O_5掺杂SnO_2透明导电薄膜的结构和性能
机译:超声波喷射热解法制备透明导电SnO_2薄膜F和Sb掺杂剂的共存
机译:由第一原理得出的无定形透明导电和半导电氧化物的性能。
机译:Hf / Sb共掺杂引起ZrNiSn的高热电性能:第一性原理计算
机译:掺杂剂浓度对电沉积法制备高效CuZnSnS薄膜太阳能电池用透明导电Al掺杂ZnO薄膜性能的影响
机译:半导体中掺杂和亚稳定性的第一性原理计算
机译:P型导电SB掺杂的SNO 2 Sub>薄膜,氧化锡均质PN结包含相同的薄膜及其制备方法
机译:利用硅前体的汽相聚合和能够改善机械性能的单体制造有机-无机混合导电薄膜的方法,该单体适用于太阳能电池,透明或透明薄膜或薄膜的透明电极
机译:钼掺杂的基于ITO的透明导电薄膜及其改善导电性和导电性的涂层方法
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